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</p><p><strong>內容簡介：</strong></p><p>RedHawk-SC_Electrothermal 2025 R1產品更新，涵蓋產品整體性能增強，以及Automatic Mesh Convergency(AMC) flow, New Trace mapping flow, Hierarchical CTM, Process stress analysis等一系列先進技術的支持和提升

在此分析過程，CTM模型的引入極大地提高了熱仿真的精度，傳統方式用戶普遍使用Power Map描述芯片工作時的功耗分布，但實際上，芯片的漏電流功耗會隨著溫度變化而變化，但Power Map無法表征，RedHawk在抽取CTM時，可以包含以下特性，進一步提高熱仿真的精度。

版本2支持緊湊型熱模型（CTM）。當使用加密的TSMC技術時，可以與Redhawk-SC ET進行雙向代碼模擬。通過使用Ansys Icepak，用戶可以捕獲環境影響（風扇/氣流和對流/輻射），然后將這些熱數據返回給RHSC-ET。

/HFSS等業界黃金工具，基于CPM/CSM/CTM等獨有的芯片模型，通過協同仿真考察芯片與PKG/PCB之間的耦合影響，通過電、熱、結構之間的多物理場耦合仿真使得仿真精度更高，幫助設計者優化從芯片至系統的SIPI/熱/結構可靠性等設計指標，此流程已經支持多家客戶在先進工藝節點和大規模的2.5D/3D IC設計上成功流片。

關于Ansys CPS 解決方案 Ansys CPS（Chip+Package+System）多物理場仿真方案，包含了Redhawk/HFSS等業界黃金工具，基于CPM/CSM/CTM等獨有的芯片模型，通過協同仿真考察芯片與PKG/PCB之間的耦合影響，通過電、熱、結構之間的多物理場耦合仿真使得仿真精度更高，幫助設計者優化從芯片至系統的

/HFSS等業界黃金工具，基于CPM/CSM/CTM等獨有的芯片模型，通過協同仿真考察芯片與PKG/PCB之間的耦合影響，通過電、熱、結構之間的多物理場耦合仿真使得仿真精度更高，幫助設計者優化從芯片至系統的SIPI/熱/結構可靠性等設計指標，此流程已經支持多家客戶在先進工藝節點和大規模的2.5D/3D IC設計上成功流片。

/HFSS等業界黃金工具，基于CPM/CSM/CTM等獨有的芯片模型，通過協同仿真考察芯片與PKG/PCB之間的耦合影響，通過電、熱、結構之間的多物理場耦合仿真使得仿真精度更高，幫助設計者優化從芯片至系統的SIPI/熱/結構可靠性等設計指標，此流程已經支持多家客戶在先進工藝節點和大規模的2.5D/3D IC設計上成功流片。

本作品耦合SIwave、Icepak、RHSC-ET求解Die內溫度場，首先通過SIwave與Icepak計算求解包含CTM模型（考慮漏電流的powermap）、PCB/PKG功耗的溫度場，提取Die周圍的HTC，導入RHSC-ET中計算Die內溫度場。